Перевод: с французского на русский

с русского на французский

photocurrent gain factor

См. также в других словарях:

  • ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • коэффициент усиления по фототоку фототранзистора — Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме. Обозначение Kуф [ГОСТ 21934 83] Тематики приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр. EN photocurrent gain… …   Справочник технического переводчика

  • Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора — 126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора D. Photostromverstärkungsfaktor E. Photocurrent gain factor F. Gain de photocourant KУФ Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода,… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… …   Wikipedia

  • Multijunction photovoltaic cell — Multi junction solar cells or tandem cells are solar cells containing several p n junctions. Each junction is tuned to a different wavelength of light, reducing one of the largest inherent sources of losses, and thereby increasing efficiency.… …   Wikipedia

  • Avalanche photodiode — Avalanche photodiodes (APDs) are photodetectors that can be regarded as the semiconductor analog to photomultipliers. By applying a high reverse bias voltage (typically 100 200 V in silicon), APDs show an internal current gain effect (around 100) …   Wikipedia

  • Radiation hardening — is a method of designing and testing electronic components and systems to make them resistant to damage or malfunctions caused by ionizing radiation (particle radiation and high energy electromagnetic radiation),[1] such as would be encountered… …   Wikipedia

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»